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时获得了p型zno薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64ω.cm,迁移率为0.838cm2/(v.s).霍尔测试和低温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的pl谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
实验采用碳酸锂、氧化钨、氧化铕制备了lieuw2o8发光粉,通过扫描电镜和光谱仪分别研究了它的形貌与光谱特征。结果显示:lieuw2o8发光粉的激发光谱较宽,非常适合于近紫外、蓝
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127092.htm2011/9/23 9:38:16
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
为了提高光学粒子计数器的测量性能,克服白炽灯和激光作光源带来的缺点,研制了一台光学粒子计数器。基于mie散射原理测量粒子的粒径,以发光强度高、发光波长宽的led为光源,具有白炽灯和
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127112.htm2011/9/20 13:26:14
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
d)分析及选区衍射分析(saed)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构gan薄膜;xps分析其表面,结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在,且ga:n约为1:1;pl谱分析结果表
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
致发光谱分析, 5.制作出了gan基led发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
子的发光可以通过ce3+敏化作用使得其610nm谱线荧光强度得到有效增强;利用所制备pr3+,ce3+:yag单晶光纤荧光材料与蓝色led合成产生高效led光纤白光源,光源的色坐标
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127155.htm2011/9/14 8:52:21
报导了一个利用led作光源探测甲烷浓度的差分探测系统,分析了系统中各光学元件的作用,给出甲烷浓度的计算方法及实验结果.选用甲烷在1.65μm附近2ν3谱带中的r支作为探测对象.利
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127188.htm2011/9/7 9:22:31
