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led的芯片结构设计是一项非常复杂的系统工程，其内容涉及以提高注入效率和光效为目的电致发光结构设计、以提高学出光效率为目的的光引出结构设计和与光效密相关的电极设计等。随着mocv
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00
目前各大品牌、系统、零组件供货商均积极开发更具成本效益的led背光设计，led背光结构目前还是分为直下式背光设计和侧光式背光设计。
https://www.alighting.cn/news/20100716/93879.htm2010/7/16 0:00:00
近日，麻省理工学院的化学家们开发了一种新的3d打印技术，允许改变打印对象的化学结构和多个3d打印对象的化学连接。据悉，该技术可以大大扩展使用3d打印创建的对象的复杂性。
https://www.alighting.cn/news/20170117/147626.htm2017/1/17 9:41:51
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
原边控制的led驱动器”发表了主题演讲。演讲中，fancesco ferrazza介绍了意法半导体独家专利的可调光拓扑结构概
https://www.alighting.cn/news/20130617/88167.htm2013/6/17 19:34:50
相似,纳米线面密度不同。利用x射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与inp体材料相比,纳米线的
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/li
https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11
大功率led体积小、工作电流大,输入功率中大部分转化为热能,散热是需要解决的关键技术。文章介绍了大功率led热设计的方法,针对大功率led的封装结构,建立了热传导模型;对某照明
https://www.alighting.cn/2012/7/20 15:19:51
目。本文分析了现有的贴片式(即smd)led三晶rgb白光的显色指数及在此基础上改进封装结构提高白灯显色指数的做
https://www.alighting.cn/resource/20110527/127537.htm2011/5/27 20:15:00
