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v(aln)的连续可调直接带隙，这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电器
https://www.alighting.cn/news/20091126/V21879.htm2009/11/26 16:03:13
型面发光器件。将以前主要面向显示器用途开发的fed（field emission display，场致发射显示器）技术转用到了照明用途中。日本东北大学与同和将在照明展会
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/1/16/307884.html2013/1/16 13:23:41
候要选择一个好的封装器件。他今天演讲涉及的内容就是关于封装器件的标准化探讨。“首先我申明要讲的不是具体技术，而是技术法规。” 周钢说，在全球范围，从开始到现在陆续出台了多少标准，应
http://blog.alighting.cn/169632/archive/2013/8/2/322580.html2013/8/2 10:21:18
近年来，由于led的技术发展迅速，主要性能指标有很大提高，目前led器件的发光效超过200lm/w，产业化水平达110~120lm/w，可以作为光源在照明领域推广应用，目前已进
https://www.alighting.cn/news/20101115/91549.htm2010/11/15 14:11:55
随着09年led背光液晶显示器的杀入让显示器的选购变得简单起来，led背光液晶显示器采用了更先进的白led器件从幅度降低了成本，环保、节能、轻薄的诸多时尚理念赢得了主流消费者的青
https://www.alighting.cn/news/20100902/92286.htm2010/9/2 9:52:14
赤崎和天野的研究小组，就在GaN类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
性发明专利(集中于材料生长、器件制作、后步封装等方面)，而其余大多数公司所拥有的多是实用新型专利(主要针对器件可靠性以及产品应用开发方面进行研
https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29
艺和严格的品质管控，使得led器件的失效率在正常工作3000小时内小于30 ppm，达到国际同类水平。 红绿蓝配光一致性方面，通过优异的电脑光学设计软件及对封装特性的透彻了
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127060.html2011/1/12 16:58:00
