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LED芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

LED芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

LED芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

LED芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

LED芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

LED芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1a,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

LED日光灯,LED日光灯照明,LED日光灯系列

5v 功率:8w 9w 12w 15w 18w 22w能效80%使用寿命:50000-80000小时 材质:铝合金,pc、洗酸玻璃、磨砂玻璃外壳 产品优势: LED日光灯光

  http://blog.alighting.cn/rixinlighting/archive/2011/8/18/232697.html2011/8/18 9:44:00

LED日光灯,超节能LED日光灯管,LED日光灯

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  http://blog.alighting.cn/rixinlighting/archive/2011/8/26/233796.html2011/8/26 16:38:00

洗墙灯24w LED洗墙灯 LED照明灯 LED洗墙灯配件

照锦灯饰专营:LED洗墙灯、LED吸顶灯改造板、LED日光灯,LED投光灯,LED点光源,LED射灯,LED路灯、LED水底灯、LED地埋灯、LED流星灯、LED天花灯。本司之『

  http://blog.alighting.cn/cxmsc2009/2009/6/13 20:12:10

LED及常规照明系统比较研究

这项研究比较了在弗吉尼亚州的医疗环境下LED照明传统的荧光灯和高强度放电(hid)灯,计算了这些照明系统的发光性能和寿命周期成本。附件为《LED及常规照明系统比较研究》,欢迎大

  https://www.alighting.cn/resource/2014/6/23/153613_83.htm2014/6/23 15:36:13

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