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往电子照明领域迈进，包括汽车的方向辅助灯、初阶数字相机的闪光灯等都已能用wled代替，更有甚者，已有业者将wled的裸晶面积加大制造，从2×2mm扩增至5×5mm，增强其发光，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134167.html2011/2/20 23:15:00
现，各大led生产商在上游磊晶技术上不断改进，如利用不同的电极设计控制电流密度，利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等，使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
顺向导通电流（vf×if，f＝forward）求得。■裸晶层：「量子井、多量子井」提升「光转效率」 虽然本文主要在谈论led封装对光通量的强化，但在此也不得不先说明更深层核心的裸晶部
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
磊晶基板，所以相对来说会比便宜、耐高温的蓝宝石更广泛应用于其它的基板。不过也因为如此，和传统的钾砷等led材料 相比，也存在着非常多的缺点。因为这些结构缺点和原子的缺陷，电子和电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
1.工艺： a) 清洗：采用超声波清洗pcb或led支架，并烘干。 b) 装架：在led管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
积物的制程。ｍｏｃｖｄ 利用气相反应物间之化学反应将所需产物沉积在基材衬底表面的过程，蒸镀层的成长速率和性质成分、晶相会受到温度、压力、反应物种类、反应物浓度、反应时间、基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
为发光层)，进而因辐射再结合过程(process)产生发光现象。 利用混晶(亦称化合物为半导体)ingan产生高辉度蓝光或是绿光的led虽然已经进入商品化，可是有关发光机制传
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
用，而强制执行度量标准比立法禁止某项技术会更好。美国加利福尼亚洲的24条标准就是在立法方面极好的例子。通常，24条标准提供了一套能够将建筑物结构所有方面都覆盖到的强制性的规则。24
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134086.html2011/2/20 22:10:00
多，也使得多晶型led的成本亦较高；若采用单晶型，则只要用一种单色led发光二极管元素即可，而且在驱动电路上的设计会较为容易。因此，现在很多厂商均把单晶型led作为白光led发展方
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133880.html2011/2/19 23:38:00
够获得高多的亮度，但因过大的面积，在应用过程和结果上也会出现适得其反的现象。所以，针对这样的问题，部分led业者就根据电极构造的改良，和覆晶的构造，在芯片表面进行改良，来达到5
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133870.html2011/2/19 23:35:00
