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刻蚀深度对si衬底gan基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

[原创]矿用隔爆型限位开关

矿用隔爆型限位开关kbx-1/127 (b)型矿用隔爆型限位开关市在引进国外同类产品经改进而设计的新产品,其技术性能达到国外先进水平,是目前国内技术性能先进的磁控限位开关。该开

  http://blog.alighting.cn/dongfengren/archive/2010/1/8/24865.html2010/1/8 10:07:00

高压led的优劣势对比

面,引出“+”“-”两个pad ,又叫做高压led芯片,封装厂家拿芯片后,最后制做高压的led 光

  https://www.alighting.cn/2013/10/30 10:56:19

[转载]伊斯兰艺术博物馆—91岁的贝聿铭设计作品(组图)

方,白色石灰石几何式的叠加伊斯兰的风格建筑,中央的穹顶连接起不同的空间,内部除了展示来自世界各地的各种伊斯兰艺术品,还包括图书馆、餐厅等功能空间,开馆时就有马友友的表演。为了表现伊

  http://blog.alighting.cn/niannujiao/archive/2010/1/15/25448.html2010/1/15 8:41:00

进口pom片pc片upe片pvc片尼龙片

片和各种颜色装饰片多类; 规格:厚度从0.1-2mm、幅宽从25-110cm、单双面复膜可任选; 用途: 印刷,制卡,装饰片及按客户要求分切所需的形状。 可代客腹膜精切.五金冲压

  http://blog.alighting.cn/stqxcl/archive/2010/1/22/25821.html2010/1/22 21:43:00

条形叉指n阱和p衬底结的硅led设计及分析

采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合sipn结led。观察了sile

  https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13

p层厚度对si基gan垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

led泵浦蓝宝石光纤荧光温度传感器

测技术在线实时测量荧光寿命,研制测温范围0℃~450℃一体型蓝宝石光纤荧光温度传感器

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127232.htm2011/8/30 13:42:34

二线制、三线制、四线制怎么接

晕损耗和线路电抗,采用分裂导线,多根线组一相线,一般2—4分裂),没有中性线,故称三相三线

  http://blog.alighting.cn/quhua777847/archive/2010/4/11/39867.html2010/4/11 17:25:00

vldl02型led道路照明路灯

意组合不同功率及亮度需求的产品,电源独立,在电杆下直接维护方便,有过热保护、过流保险功能, 保证安全、防雷; 4、面盖采用铝合金,表面铺以阳极处理,色泽纯正,手感平滑,无高

  http://blog.alighting.cn/whvonno05/archive/2010/4/20/40895.html2010/4/20 14:55:00

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