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硅衬底led芯片主要制造工艺

" width=360   从结构图中看出,si衬底芯片为倒薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

用于led的塑料散热器

道,任何散热器,除了要能快速地把热量从发热源传导出到散热器的表面,最后还是要靠对流和辐射把热量散到空气中。导热系数高,只解决了传热快的问题,而散热则主要由散热面积、形状、自然对

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126765.html2011/1/9 21:05:00

通过改善散热来提升白光led寿命

铜与陶瓷材料制成的散热器(heat sink)表面,接着再用焊接方式将印刷电路板的散热用导线连接到利用冷却风扇强制空冷的散热器上。根据德国osram opt

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126777.html2011/1/9 21:16:00

详解led封全步骤

d封工艺流程   a)芯片检验   镜检:1、材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill);   2、芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求;   3、电极图案是否完

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00

简述大功率led在号志灯中的应用

同:一般led由于发出的光出射角上,而又分布在整个发光表面的范围内,相互之间的间距较大,因此投射在发光表面的效果是能比较明显地看出点状分布的发光光源,并且由于led光源本身光强分布

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127040.html2011/1/12 16:43:00

内置电源led日光灯的缺点和问题

只能是普通的半圆柱型,顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽(图4)   图4 中空铝管的半塑半铝的led日光灯灯管   这种半圆柱的表面积为:2πr*h/2=πr*h。对

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127071.html2011/1/12 17:15:00

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

1。      从结构图中看出,si衬底芯片为倒薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

[转载]exd ii bt和exd ii ct的区别

exdiibt和exdiict的区别 d代表隔爆型的.iib代表乙烯,点火能量0.06mj,t4安全物体的表面温度≤135℃电机防爆等级由3部分构成1)在爆炸性气体区域(0区、

  http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/1/25/128787.html2011/1/25 11:25:00

中国led照明市场前景分析:保守派与激进派的争论

不能解决问题。  温度,通常很多要求led产品表面温度50℃以内,这种心态是不对的。要看我们具体使用环境条件,在很多环境温度不能保证在25℃,要实现产品表面50℃显然是困难的。在设

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/2/18/133483.html2011/2/18 17:34:00

聚光条件下太阳电池的热电特性分析

路如图l所示。它相当于一个电流为j9h的恒流源与一只正向二极管并联。流过二极管的正向电流在太阳电池中称为暗电流id。rsh称为旁路电阻.主要由下列几种因素引起:如表面沾污而产生的沿

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00

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