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基于si衬底的功率型gan基led制造技术

1。      从结构图中看出,si衬底芯片为倒装薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

[转载]exd ii bt和exd ii ct的区别

exdiibt和exdiict的区别 d代表隔爆型的.iib代表乙烯,点火能量0.06mj,t4安全物体的表面温度≤135℃电机防爆等级由3部分构成1)在爆炸性气体区域(0区、

  http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/1/25/128787.html2011/1/25 11:25:00

中国led照明市场前景分析:保守派与激进派的争论

不能解决问题。  温度,通常很多要求led产品表面温度50℃以内,这种心态是不对的。要看我们具体使用环境条件,在很多环境温度不能保证在25℃,要实现产品表面50℃显然是困难的。在设

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/2/18/133483.html2011/2/18 17:34:00

聚光条件下太阳电池的热电特性分析

路如图l所示。它相当于一个电流为j9h的恒流源与一只正向二极管并联。流过二极管的正向电流在太阳电池中称为暗电流id。rsh称为旁路电阻.主要由下列几种因素引起:如表面沾污而产生的沿

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00

gan基发光二极管的可靠性研究进展

-6],在器件表面生成不透明物质,或者碳化物质在表明形成电导通道[4],导致器件失效。由于小功率gan基led的正常工作电流是20ma,远小于试验电流,封装材料碳化这种比较极端的失

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00

高亮度led之「封装光通」原理技术探析

入新的材料层、改变材料层的接合方式、不同的材料表面处理等。不过,无论如何变化,大体都不脱两个要则:一、降低遮蔽、增加光透率。二、强化光折射、反射的利用率。 举例来说,过

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

led生产工艺及封装技术(生产步骤)

程  4.封装工艺说明   1.芯片检验   镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill)   芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求   电极图案是否完

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00

北美的led节能灯检测的技术要点

近满载的条件下工作而产生过热。   7.结构    led节能灯的电源模块安装在外壳内部,空间有限,有的制造商为了节省空间,将插脚式的元件表面焊接在pcb上,这种做法是不可以接

  http://blog.alighting.cn/znzm123/archive/2011/4/18/165938.html2011/4/18 11:29:00

浅析建筑物立面泛光照明工程

质有混凝土、石材、磁砖等,这些材质表面较粗糙,经灯光照射后的效果较好。而有些建筑物采用铝材、不锈钢、玻璃等表面光滑的材料作为外立面的装饰,因此灯光的照射会造成全反射,不但灯光效果不明

  http://blog.alighting.cn/fsafasdfa/archive/2011/4/18/166015.html2011/4/18 22:16:00

led显示屏生产工艺及led显示屏封装工艺技术介绍

1.芯片检验 镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于led芯片在划片

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179904.html2011/5/20 0:44:00

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