检索首页
阿拉丁已为您找到约 2869条相关结果 (用时 0.0107646 秒)

【专业术语】片|衬底(substrate)

采用的片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片,则使用蓝宝石、sic和si等作为片,如果是红色led等采

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00

led用蓝宝石晶体衬底激光划片工艺

本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20

al_2o_3/si(001)衬底上gan外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )x射

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

蓝宝石图形衬底上生长gan的微区拉曼光谱研究

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55

钻石底碳化硅 led的梦幻材(下)

碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28

氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」在青岛研制成功

中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」制造取得重大突破,研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片led外延

  https://www.alighting.cn/news/20080414/93175.htm2008/4/14 0:00:00

不同板1 w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅衬底上外延生长的氮化led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑板、铜铬支撑板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进

  https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34

半导体照明产业酝酿重大突破

巨大的市场缘于优越的性能。与传统的照明工具相比,半导体照明工具,尤其是氮化(can)白光led照明,在功耗及寿命方面均有不可比拟的优越性。传统白炽灯泡采用热发光技术,浪费了9

  https://www.alighting.cn/news/20030627/91692.htm2003/6/27 0:00:00

日本三菱化学生产超高亮白光led

y reactor系统,用于氮化超高亮度白光led的生

  https://www.alighting.cn/news/20090916/106054.htm2009/9/16 0:00:00

bridgelux与东芝联合开发gansi技术

美国bridgelux inc.和日本东芝公司(toshiba corporation)宣布,双方达成协议。依照协议,bridgelux将向东芝出售其矽氮化

  https://www.alighting.cn/news/20130425/112734.htm2013/4/25 9:54:56

首页 上一页 47 48 49 50 51 52 53 54 下一页