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采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片,则使用蓝宝石、sic和si等作为基片,如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )x射
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」制造取得重大突破,研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片led外延
https://www.alighting.cn/news/20080414/93175.htm2008/4/14 0:00:00
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
巨大的市场缘于优越的性能。与传统的照明工具相比,半导体照明工具,尤其是氮化镓基(can)白光led照明,在功耗及寿命方面均有不可比拟的优越性。传统白炽灯泡采用热发光技术,浪费了9
https://www.alighting.cn/news/20030627/91692.htm2003/6/27 0:00:00
y reactor系统,用于氮化镓基超高亮度白光led的生
https://www.alighting.cn/news/20090916/106054.htm2009/9/16 0:00:00
美国bridgelux inc.和日本东芝公司(toshiba corporation)宣布,双方达成协议。依照协议,bridgelux将向东芝出售其矽基氮化
https://www.alighting.cn/news/20130425/112734.htm2013/4/25 9:54:56