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对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行表征。研究了eu3+、gd3+的掺杂浓度、表面活性剂的加入、煅烧温度对样品性能的影
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
d分析结果显示,sr3al2o6-3x/2nx与sr3al2o6的晶体结构相
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:54:56
片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
与sic和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
本文介绍的各项研究是与知名的第三方机构共同开展的，目的是检验极特先进科技有限公司的高级蓝宝石晶体长晶炉(asf?)生产的蓝宝石的粉红色调对led晶片或标准led制造工艺有何影
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:07:54
m，hall和pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现alp-lo/to的相对强度比可以评定晶体algainp mqw的生长质
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127308.htm2011/8/16 11:30:27
前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“sic单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
