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基于pc的led外延片的无损检测扫描系统

介绍了对新型发光二极外延片光致发光系统的改进,以vc.net为语言工具编制软件,对发光二极外延片关键性能参数的测量结果进行分析。增加了薄膜厚度测量的性能,完善了测量系统的功

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1066.htm2010/1/18 14:56:30

柔性oled的封装方法

目前已经制作出了使用寿命突破10000h,存储寿命超过50000h的oled器件,但与液晶显示(lcd)和等离子体显示(pdp)比较起来,寿命相对较短仍是制约oled商业化的重

  https://www.alighting.cn/resource/20110211/128057.htm2011/2/11 10:52:04

基于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究

随着对GaN材料发光机理的深入研究,GaN发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高,但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00

inGaN/GaN多量子阱发光二极的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶体质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

同方投资8亿元拓展led开发项目

同方股份将通过内部募资的方式,投入8亿元主攻高亮度发光二极(led)芯片制造及其应用产业化项目。

  https://www.alighting.cn/news/20071119/V8483.htm2007/11/19 10:26:03

[led技术]安森美推高能效led照明应用greenpoint参考设计

安森美半导体推出两款新的greenpoint?参考设计,加速及简化高能效发光二极(led)照明应用的开发。

  https://www.alighting.cn/news/2009127/V22024.htm2009/12/7 8:57:09

生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51

更好地解决led背光漏电流故障的方法

配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件: 一个采用dpak封装的100 v mosfet,以及一个同样采用dpak封装的100 v肖特基二极。led背光单元中,肖特基二极

  https://www.alighting.cn/2014/8/21 10:25:27

tir透镜优化设计在led微投影显示系统中的应用

镜作为对led光源所发光束进行收集整形的光学元件,克服了在传统投影显示系统中经常出现的锥形光或复合抛物面集光器(compound parabolicconcentrator,cp

  https://www.alighting.cn/resource/20120917/126387.htm2012/9/17 22:14:31

发光二极体oled和双稳定技术将取代传统lcd

随着液晶显示器技术逐渐走入成熟,最新一代的超薄、低能耗产品将逐渐佔领市场,从而代替传统笨重和高能耗的型号。

  https://www.alighting.cn/news/20070709/107436.htm2007/7/9 0:00:00

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