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0-410nmnuv,450-460nm 蓝光均能高效地激发，发射红光。 研究表明，m2si5n8:eu 氮化物在 465nm 激发下的量子效率 h q 按 ca-ba-s
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场。 3.１、ｌｅｄ芯片 芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效率的高低直接影响到ｌｅｄ的发光效能，非辐射复合率则决定着芯片产热的大小。可以说只有制造出具有良好质量的ｌｅｄ芯片，才可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134144.html2011/2/20 23:06:00
级lif/al/lif/ al 量子阱[4]阴极结合起来，以及对其它结构如alq3/al，alq3/lif/al和 alq3/al/lif/al等，人们也有相当多的研究。众所周知，基
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出的光只有入射角≤25.8度这个空间立体角内的光，据报导，目前gan芯片的外量子效率在30％－40％左右，因此，由于芯片晶体的内部吸收，能射出到晶体外面光线的比例很少。据报导，目
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灯也不适用于视频拍摄的用途。庆幸的是，led制造商已经着手通过采用如氮化铟镓(InGaN)等新材料来提升功率led的光输出。 图1：基于ncp5005的电感式led驱动电
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n)辐射模式，从而使得落在典型的相机视场内的光输出强度最大化。 安华高科技公司的每一个闪光灯模块集成了3个InGaN led裸片，这些裸片在模块内采用并行连接(hsmw-c83
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顺向导通电流（vf×if，f＝forward）求得。■裸晶层：「量子井、多量子井」提升「光转效率」 虽然本文主要在谈论led封装对光通量的强化，但在此也不得不先说明更深层核心的裸晶部
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
目前应用于蓝光led、dvd雷射上的InGaN，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的led材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
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续可变的三元或四元固溶体合金（algan、InGaN、alInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极
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a的背光以及汽车仪表的照明。 2 白色led的发光机理及特性 2．1 发光机理 单芯片白色led是一种含InGaN活性层的can发光二极管，它主要有两种发光机理：一种是结
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