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台湾LED产业5月营收小幅下降，预计q3升温

根据产业研究机构LEDinside资料统计，2008年5月台湾上市柜发光二极体（LED）厂商营收总额共60.95亿元，比4月的61.02亿元小幅下滑，年增率约8.4%。

https://www.alighting.cn/news/20080616/107611.htm2008/6/16 0:00:00

隆达电子发布每瓦200流明之360度发光LED灯管

隆达电子发表效率高达每瓦200流明 (lm/w)之360度全光角发光LED灯管，运用隆达之覆晶技术(flip chip)、晶粒级封装(chip scale package, cs

https://www.alighting.cn/pingce/20131017/122056.htm2013/10/17 12:11:37

LED背光设计进入成熟期　厂商竞争项目复杂化

市场研究机构 npd display search 指出，2014年对 LED产业来说基本上会是一个好年，主要的原因在于， LED 需求在背光市场需求持平，但是照明市场需求持续往

https://www.alighting.cn/news/20140516/86995.htm2014/5/16 11:52:53

预计2012年台湾LED照明产业将成长32%

2010年台湾LED照明产值大幅提升65%,首度突破千亿元新台币，规模达到1,516亿元，2012年还将继续成长32%,挑战2,000亿元产值。且整体LED市场供需，中国产能是

https://www.alighting.cn/news/20110112/92630.htm2011/1/12 10:15:30

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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