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基led外延片(其主要结构包括：n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
通过分析滞环控制的特点，采用串联电阻采样技术，结合匹配电流源结构，在保证响应速度和采样精度的同时，降低了电路的复杂度。电路中加入输入电压补偿电路，进一步提高了恒流控制的精度。本
https://www.alighting.cn/resource/20120308/126688.htm2012/3/8 16:19:29
led显示屏控制系统多采用arm处理器来完成整个系统的功能，这种控制系统在数据处理速度上存在很大的局限，在分析了stm32微处理器总线结构特点的基础上，提出了stm32+fpg
https://www.alighting.cn/resource/20111114/126902.htm2011/11/14 10:07:55
设计了一种新型的led阵列式紫外固化光源系统,该系统主要包括多路可控恒流源,紫外led空间阵列及光学系统等,其中紫外led空间阵列结构提高了光源的辐照度和均匀性。在分析光源结
https://www.alighting.cn/2011/10/19 14:35:29
射(xrd)测定了其最佳合成温度和不同温度下所得样品的结构,发现所有样品均具有单斜结构;采用荧光光谱对所得荧光粉发光性能进行了表
https://www.alighting.cn/2011/9/26 14:27:18
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
不同功率的交流-直流(ac-dc) led照明应用所适合的电源拓扑结构各不相同。如在功率低于80 w的应用中，反激拓扑结构是标准选择；而在讲究高能效的应用中，谐振半桥双电感加单电
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127413.htm2011/7/21 10:04:51
