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led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

高频无极灯的技术困境

那么高频无极灯存在着哪些难以解决的技术难点呢?    1、高频无极灯的光效太低,一般在70lm/w以内。就笔者现在所知,高频无极灯的光效还没有超过72lm/w的。即使是达到7

  http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279352.html2012/6/20 14:45:55

具有颠覆性的led倒装技术:异向导电胶封装技术(lep filp chip)介绍

附件为论坛嘉宾的演讲内容《具有颠覆性的led倒装技术:异向导电胶封装技术(lep filp chip)介绍》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20160620/141310.htm2016/6/20 16:39:36

技术峰会ⅱ:芯片、封装与模块化技术隆重召开

6月10日,“2015阿拉丁照明论坛”分论坛之”技术峰会ⅱ:芯片、封装与模块化技术”隆重召开。

  https://www.alighting.cn/news/20150610/130053.htm2015/6/10 19:21:39

led照明产品质量控制与国际认证

本书全面、系统地介绍了led照明产品质量控制的法律法规、技术标准、检测方法,并结合各国led照明产品国际认证要求的实际,分析了led照明产品国内市场和国际市场的准入要求,融入了国

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/30/152317_61.htm2013/12/30 15:23:17

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