站内搜索
构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长P型gan层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀n型电极（镀膜、退火、刻蚀）P型电极（镀膜、退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
描器、smartscan aida s9060P条码扫描器（可读取Pdf417码）、smartscan aida s9061蓝牙无线条码扫描器、smartscan aida
http://blog.alighting.cn/gzmilliontech/archive/2010/12/14/120730.html2010/12/14 11:52:00
结不可能极端完美，元件的注人效率不会达到100%,也即是说，在led工作时除P区向n区注入电荷（空穴）外，n区也会向P区注人电荷（电子），一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
关 除了负载和晶体管交换位置，这个电路与前面的完全相同。图2e中显示的开关就位于“高端”。我们还把fet从n通道变成P通道。n通道fet要求vgs5v以完全导通：在本拓扑中，n通
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
能。 mc9rs08ka2控制Pwm功率开关器件，对hbled电流进行调节。P沟道金属氧化物半导体管(Pmos)的开关是由mcu计时模组控制的，并且频率被设定为30kh
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
米左右形成警戒区，对于超速的驾驶员拍照。所以使用反测速雷达的用户要注意，当行使在空旷地带接受到报警信号时（如国道、环线和高速路），90%是雷达测速 4.电子**固定式P频预警机的警
http://blog.alighting.cn/hyx0814/archive/2011/3/5/138425.html2011/3/5 16:34:00
件的光谱功率（能量）分布，则可以按下式计算： 由于实际上很难用数学表达式来写出P(λ) ，因此常以求和来近似积分。这里y对于光源来说，它为光源的亮度。对
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143137.html2011/3/16 23:29:00
程的全双工串行通信接口，即 rxd（P3.0）和txd（P3.1），具有 uart的全部功能，该接口电路能同时进行数据发送和接收。一般情况下只要通过rxd、txd和gnd三根线就可
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/4/1/145992.html2011/4/1 9:26:00
值正好等于容性元件的容抗值则可以完全补偿，功率因数补偿的办法就源于此。 交流电通过阻抗负载时，产生的总功率s称“视在功率”，视在功率s包括有功功率P和无功功率q两个分量。其中有
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165421.html2011/4/14 21:38:00
