站内搜索
近日，国星光电宣布其led外延片项目─国星半导体技术有限公司正式奠基。该公司注册资本6亿元人民币，计划投资25亿元，引进50条mocvd外延片生产线及相应的外延生产设备。
https://www.alighting.cn/news/20110331/115869.htm2011/3/31 9:38:43
近日，成都市科技局召开成都市半导体照明产业技术创新联盟筹备工作会，全市20余家半导体照明单位参加。
https://www.alighting.cn/news/2009114/V21546.htm2009/11/4 10:16:34
由上海市科委组建，上海科学院、张江集团、华东师大、复旦大学、上海蓝宝光电材料有限公司等12家单位联合发起成立的上海半导体照明工程技术研究中心日前在上海张江高科技园区挂牌成立。
https://www.alighting.cn/news/20050422/101781.htm2005/4/22 0:00:00
质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
自2008年开始，我国已连续三年对国内外半导体照明及其相关技术领域的专利情况进行了全面、深入的跟踪研究，取得一批较具价值的研究成果，受到了行业主管部门、产业和企业界的普遍认可与赞
https://www.alighting.cn/resource/20120104/126767.htm2012/1/4 14:40:11
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
2007年7月10日，aixtron公司宣布接受今年第一季度台湾稳懋半导体(win semiconductors)订购一套aix 2600g3 ic外延反应室系统的订单。这家开发
https://www.alighting.cn/news/20070711/116423.htm2007/7/11 0:00:00
主办单位：中国照明电器协会.承办单位：中国照明电器协会半导体照明专业委员会.协办单位：广州光亚法兰克福展览有限公司、sota半导体照明专委会、台湾拓墣产业研究所、广东省led产
https://www.alighting.cn/news/2009319/V19134.htm2009/3/19 16:55:29
