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东旭明朔陈威：石墨烯材料的散热应用及路灯照明的未来
https://www.alighting.cn/resource/20180703/157447.htm2018/7/3 15:18:26
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
采钰科技股份有限公司(visera technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属8寸外延片级led硅基封装技术，并以此项技术提供高功率led封装代工服务，对
https://www.alighting.cn/resource/20090917/128738.htm2009/9/17 0:00:00
段，分别是“欢乐海岸”、“海岸城”及“华润|万象城”，并将调研人员分为三组，提前绘制好调研路线图，调研人员通过徒步行走、拍照、录像、现场笔记等方式，观察研究城市照明现状，进而共同探讨城
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/4/103258_49.htm2013/12/4 10:32:58
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
s c/d标准，2w~400w的设计范围，具有可控硅调光、模拟和pwm多种调光模
https://www.alighting.cn/2013/1/7 13:49:57
型n－zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
提出一种快速评价led可靠性的有效方法。通过测试led样品的伪失效寿命,结合minitab软件进行数据分析,确定全部样品的伪失效寿命服从二参数的威布尔分布。通过计算威布尔分布尺
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125719.htm2013/4/16 11:17:51
树脂的热膨胀系数平均约为65×10-6m/cm/℃;,比对封装树脂中的金属埋人件的热膨胀系数大很多。半导体所用的框架(lead frame)与环氧树脂相差甚远。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127982.htm2010/7/12 17:31:16
