站内搜索
这里小编总结了一篇关于pcb封装最常见的器件尺寸大全，这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来。
https://www.alighting.cn/resource/20141231/123817.htm2014/12/31 11:44:05
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理，以及为改善gan基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机制
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
mocvd技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，mocvd仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，mocvd技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来
https://www.alighting.cn/resource/20130228/125982.htm2013/2/28 10:33:06
本文为华泰证券关于led衬底最新的行业报告，推荐下载，一块完整的led芯片大致由衬底、外延层、金属电极引脚和封装外壳四个主要部分构成。其中，衬底和外延层是整个led芯片的最为重要的
https://www.alighting.cn/resource/20111012/127026.htm2011/10/12 11:20:41
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响用
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
为了满足日益增长的市场需求，昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(gan)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色发光二极管(led)。
https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00
研究表明:在选择粒径为720nm的ps球、刻蚀剩余粒径为240nm、金属膜厚度为120nm的条件下,满足cie红光显示标准的共振波长为704. 06nm,强度透射率为52%,透射谱
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123515.htm2015/3/6 9:38:38
本文研究了衬底驱动mos管技术和运用这一技术进行低电压低功耗模拟电路设计的方法，并且运用这种技术设计低电压低功耗衬底驱动跨导运算放大器和电流差分跨导放大器。
https://www.alighting.cn/2014/12/31 11:00:28
本文叙述的某系列船用显示器项目，始于20 世纪90 年代中期，按照当时技术条件，是以等离子体显示器进行装备的o pdp 的主要特点是:视角大，可达120~1600; 显示面积大;交
https://www.alighting.cn/2014/7/29 10:45:58
