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半导体所“氮化基led用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目通过验收

近日,由中国科学院半导体研究所承担的北京市科委“氮化基led用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目顺利通过北京市科委组织专家组验收。

  https://www.alighting.cn/news/20140320/97988.htm2014/3/20 11:57:50

新纳晶光电首批“氮化led外延片”批量试制成功

日前,苏州新纳晶光电有限公司宣布首批“氮化led外延片”等产品批量试制成功。“氮化led外延片”是以氮化为原料采用纳米技术制成,厚度仅几微米,每个“玻璃片”可切割成2万个

  https://www.alighting.cn/pingce/20111115/122867.htm2011/11/15 13:57:59

kyma公司推高掺杂的n+型氮化体单晶衬底

这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米,导电能力得到极大提高,电阻率比他们以前的n型氮化衬底低两个数量级。此外,kyma也成功开发了高掺杂n+

  https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12

安森美半导体加入imec硅基氮化研究项目

安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目,共同开发下一代硅基氮化(gan-on-si)功率器件。

  https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07

合肥彩虹蓝光高亮度氮化基led外延片试产成功

合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设,经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化基led外延片的一次试产成功。

  https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51

最新突破:led芯片抗反向静电能力达到3kv

韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称:“这种led芯

  https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35

plessey推新一代硅基氮化led光效可达64lm/w

英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅基氮化led。型号为plw114050,目前正在出样,这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被

  https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29

剑桥大学ccs系统实现6英寸硅晶片生长氮化

据爱思强称,剑桥大学该套6x2英寸的ccs系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片,实现在6英寸硅晶片上生长氮化外延,继续推进剑桥大学在led和电子设备方面的研发和实

  https://www.alighting.cn/news/20130424/113313.htm2013/4/24 10:21:23

硅基氮化在大功率led的研发及产业化

6月10日,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化大功率led的研发及产业化”的报

  https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40

普瑞光电副总裁:矽基氮化led将量产

元以上。另值得关注的是,普瑞光电矽基氮化led将于明年正式启动委外量产,此新技术对未来led产业的影响性,各界亦格外关

  https://www.alighting.cn/news/20120405/85479.htm2012/4/5 10:27:11

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