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这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，kyma也成功开发了高掺杂n+
https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(gan-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设，经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓基led外延片的一次试产成功。
https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51
英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓led。型号为plw114050，目前正在出样，这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的ccs系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片，实现在6英寸硅晶片上生长氮化镓外延，继续推进剑桥大学在led和电子设备方面的研发和实
https://www.alighting.cn/news/20130424/113313.htm2013/4/24 10:21:23
6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
德国欧司朗(osram)公司日前成功地将氮化镓发光材料层置于直径为150毫米的矽晶圆基板上，制造出高性能蓝白光发光二极管(led)原型矽芯片。这是世界上首次利用矽晶圆基板取代蓝宝
https://www.alighting.cn/pingce/20120223/122645.htm2012/2/23 11:02:48
https://www.alighting.cn/news/20120222/115018.htm2012/2/22 9:43:03
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
