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将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结构
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
赤崎和天野的研究小组，就在gan类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在gan类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
本文首先综述了gan基材料的基本特性，分析了gan基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
研究结果表明：采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。
https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率gan 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
在设计led恒流源时为保持严格的滞环电流控制，电感必须足够大，保证在ho，on期间，能向负载供应能量，避免负载电流显著下降，导致平均电流跌到期望值以下。
https://www.alighting.cn/2014/10/17 10:25:33
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
