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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(gan-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设，经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓基led外延片的一次试产成功。
https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓led。型号为plw114050，目前正在出样，这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的ccs系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片，实现在6英寸硅晶片上生长氮化镓外延，继续推进剑桥大学在led和电子设备方面的研发和实
https://www.alighting.cn/news/20130424/113313.htm2013/4/24 10:21:23
6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
元以上。另值得关注的是，普瑞光电矽基氮化镓led将于明年正式启动委外量产，此新技术对未来led产业的影响性，各界亦格外关
https://www.alighting.cn/news/20120405/85479.htm2012/4/5 10:27:11
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
