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led照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的8吋氮化镓上矽(gan o
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
普瑞光电正在演示可与当今最先进的蓝宝石基led相媲美的led性能水平。基于氮化镓上矽的冷白光led在色温为4350k时效率高达160流明/瓦，暖白光led在色温2940k和cr
https://www.alighting.cn/news/20110812/115217.htm2011/8/12 9:25:47
手机大厂的表态，带动了国内相关的led企业。就在小米发布会结束的第二天，三安光电盘中上涨超7%、士兰微盘中上涨超8%。事实上，关于氮化镓，三安、华灿、士兰微、国星等led大厂早
https://www.alighting.cn/news/20200303/166851.htm2020/3/3 10:38:00
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(gan)和铟氮化稼(ingan)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
近日，由中国科学院半导体研究所承担的北京市科委“氮化镓基led用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目顺利通过北京市科委组织专家组验收。
https://www.alighting.cn/news/20140320/97988.htm2014/3/20 11:57:50
日前，苏州新纳晶光电有限公司宣布首批“氮化镓led外延片”等产品批量试制成功。“氮化镓led外延片”是以氮化镓为原料采用纳米技术制成，厚度仅几微米，每个“玻璃片”可切割成2万个
https://www.alighting.cn/pingce/20111115/122867.htm2011/11/15 13:57:59
这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，kyma也成功开发了高掺杂n+
https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
半导体材料作为新材料发展重点之一，将以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向，逐步提高关键材料自给率。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料，积极开发氮化
https://www.alighting.cn/news/20120228/99663.htm2012/2/28 14:18:57
安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(gan-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
