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采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
通过开环聚合制备了透明的聚(二甲基-甲基苯基-甲基乙烯基)硅氧烷共聚物,考察了聚合条件对产物结构与性能的影响。以该共聚物为基础聚合物,含氢硅油为交联剂,在karstedt催化剂作
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
为了在p-gan上获得低电阻的欧姆接触，人们对具有高反射系数和平滑表面形貌优点的金属蒸镀方法进行了研究。
https://www.alighting.cn/resource/200858/V15509.htm2008/5/8 10:55:47
本文将串联谐振电路用于 led 的级联供电机构中，实现开环恒流，减小了整体设计的复杂度。文中确定了串联谐振电路实现开环恒流的条件，确定了串联谐振电路参数的选择依据，分析了led数
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:37:23
本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降低
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激光
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
