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利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
为了探究led 光源下光照时间的延长对生菜生长、品质和离子吸收量的影响，选择3 个光照时间(12，16，20h)和2 个生菜品种(美国大速生和香港玻璃)进行水培实验，并对试验数
https://www.alighting.cn/resource/20141028/124157.htm2014/10/28 10:58:28
选取有着较高经济价值的纤细角毛藻以及亚心形扁藻为实验对象,在光照恒温培养箱中用红、绿、蓝、白led集成不同光谱成分的光源与传统荧光灯进行对照培养实验。通过对比生长速率表明,与荧
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127113.htm2011/9/20 13:19:21
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
利用低压mocvd系统,在蓝宝石衬底上外延生长了ingan/gan多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层ingan/gan多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
“我们的led现在更多的还是封装生产，向下的技术应用和向上的芯片研发都很少，如果产业不能扩展，就很可能重复投资。”在上周五举行的“佛山市新兴产业发展论坛”上，赛迪顾问有限公司副总裁
https://www.alighting.cn/resource/20100712/128041.htm2010/7/12 18:14:51
征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450～500℃,氩气流量为35sccm时,zno纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;xrd谱图中只观测到zno(002)衍射峰。表明制备的纳
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
型zno薄膜,n型zno薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型zno薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的zno薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型zn
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
