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科锐推出新型1200v z-rec? 碳化肖特二极管系列

碳化 (sic) 功率器件市场领先者科锐公司 (nasdaq: cree) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200v z-rec? 碳化 (sic) 肖特二极

  https://www.alighting.cn/news/2011627/n668732779.htm2011/6/27 17:32:32

孙钱:衬底gan高效led的最新进展

6月10日,2015阿拉丁照明论坛之技术峰会隆重开启。“技术峰会ⅱ:芯片、封装与模块化技术”论坛在中国进出口商品交易会展馆-b区8号会议室顺利召开。晶能光电有限公司led研

  https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30

晶能光电:大尺寸衬底氮化镓led

讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局,新世纪led网记者独家专访了晶能光电有限公司衬底led研发副总裁孙钱博

  https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14

激光剥离技术实现垂直结构ganled

石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan led 转移至高电导率和高热导率的衬底, 制备出了具有垂直结构的gan led, 并对其电学和光学特性进行了测

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

韩媒:2015年三星会加速研发led

报道显示,三星打算把原来的led生产线“line 3”、“sr line”整并为一条,转移到位于京畿道器兴的“line 5”。line 5原本负责生产三星的系统半导体,但该公司决定

  https://www.alighting.cn/news/20150317/97057.htm2015/3/17 9:14:55

bridgelux强化与东芝在氮化镓的技术合作

美国bridgelux近日宣布,将强化和扩展其与日本toshiba在技术策略层面上的合作。

  https://www.alighting.cn/news/20130524/112357.htm2013/5/24 10:03:28

衬底ganled外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此础上外延生长出了gan发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

江西半导体国家中心获科技部批准组建

新成立的工程技术研究中心依托南昌大学,在江西省半导体发光材料工程技术研究中心的基础上,整合教育部发光材料与器件工程技术研究中心、江西省发光材料重点实验室、江西省科学院和晶能光电公司

  https://www.alighting.cn/news/20110215/101084.htm2011/2/15 14:28:26

不同板1w衬底蓝光led老化性能研究

(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑板、铜铬支撑板以及通过压焊的方法转移到新的支撑板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

探秘:上氮化镓(gan)led

上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

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