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德国欧司朗公司(osram)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光led 原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基
https://www.alighting.cn/pingce/20120209/122671.htm2012/2/9 10:17:18
2012年6月12日，晶能光电(江西)有限公司新一代硅基大功率led芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *5
https://www.alighting.cn/news/2012614/n859040541.htm2012/6/14 1:55:12
普瑞公司已经大大提高了硅衬底led芯片的流明/瓦，光色和显色指数等性能，而这些性能的高低直接决定了led芯片质量的好坏。在今年三月，普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓led发展战略
https://www.alighting.cn/news/20110810/115411.htm2011/8/10 9:31:44
能耗减半的关键点是采用半导体材料碳化硅(sic)与硅基氮化镓(gan-on-si)，凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v
https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01
科锐全碳化硅300a/1.2kv半桥式模块实现双倍功率密度，使得在感应加热、中央太阳能逆变器和主动前端马达驱动器中的效率高达99%。
https://www.alighting.cn/pingce/20140519/121692.htm2014/5/19 15:50:02
晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款硅基大功率芯片，发光效率已超过120lm/w。
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122391.htm2012/6/14 10:06:35
碳化硅(sic)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅mosfet器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅mosfet器件可实现更高的系统效率及更
https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13
从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。
https://www.alighting.cn/news/20100509/85851.htm2010/5/9 0:00:00
据中国国家半导体照明工程研发及产业联盟统计，2008年我国led芯片产值增长26%，达19亿元rmb。
https://www.alighting.cn/news/20091127/V21898.htm2009/11/27 14:26:20
科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化硅 (sic) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这
https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09
