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普瑞公司已经大大提高了硅衬底led芯片的流明/瓦，光色和显色指数等性能，而这些性能的高低直接决定了led芯片质量的好坏。在今年三月，普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓led发展战略
https://www.alighting.cn/news/20110810/115411.htm2011/8/10 9:31:44
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100902/127972.htm2010/9/2 14:10:59
本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的led技术展开，到硅衬底le
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
赵汉民博士发表了主题为“硅衬底大功率led芯片产业化及应用”的主题演
https://www.alighting.cn/news/20120613/89788.htm2012/6/13 18:38:54
从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。
https://www.alighting.cn/news/20100509/85851.htm2010/5/9 0:00:00
daewon innost公司近日发布了一款glaxum (tm)led阵列系列,该产品是采用其自主专利纳米孔硅衬底(nano-pore silicon substrat
https://www.alighting.cn/pingce/20120627/122848.htm2012/6/27 11:09:19
渠道为王，技术制胜。在6月9日-12日举行的亚洲led高峰论坛上，晶能光电作为此次cto技术交流大会的嘉宾，将以“硅衬底大功率led芯片产业化及应用”为话题探讨led技术。
https://www.alighting.cn/news/2012514/n491239707.htm2012/5/14 11:35:19
附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
