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薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress)，这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之间不
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。
https://www.alighting.cn/resource/20140317/124774.htm2014/3/17 14:20:22
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/29/104737_35.htm2013/10/29 10:47:37
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底
https://www.alighting.cn/resource/20131028/125183.htm2013/10/28 15:04:32
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
量的分析，可知在蓝宝石衬底和环氧树脂的界面间涂敷一层硅橡胶能改善光的折射率。改进光学器件的封装技术，可以大幅度提高大功率led的出光率(光通
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/16/142218_52.htm2013/10/16 14:22:18
