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日企开发出高亮度led封装用低透气性材料

日本信越化学工业作为高亮度led封装的硅封装材料,开发出了降低了透气性的低折射率款新产品“ker-7000系列”。新产品备有邵氏a硬度为80的“ker-7080 a/b”及邵氏

  https://www.alighting.cn/pingce/2012220/n140237645.htm2012/2/20 10:54:16

国产led芯片生产关键设备mocvd问世

中国国产的代表国际尖端水准的高亮度led芯片生产关键设备mocvd(金属有机化学气相沉积设备)在正泰集团上海张江理想能源设备有限公司6日成功下线,打破了该领域长期被欧美企业垄

  https://www.alighting.cn/pingce/20121218/122034.htm2012/12/18 11:41:07

首尔与威宝共同推出新led芯片技术的卤素替代灯

npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(gan)衬底用于氮化镓的外延生长,从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层

  https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20

温大教授发明新材料 让白光led灯寿命更长

温州大学化学与材料工程学院瓯江特聘教授向卫东,发明了新材料,能让led灯寿命延长10年左右,并能长时间照射,让led灯更广泛地用于高档汽车、高铁、飞机、潜艇等照明上。日前,记者走

  https://www.alighting.cn/pingce/20160804/142537.htm2016/8/4 9:48:33

上海芯元基开发半导体新器件获里程碑式突破

上海芯元基采用先进的晶元级封装技术,结合具有自主知识产权的复合图形衬底(dpss)以及化学剥离和晶元级芯片转移技术,开发出了一种键合在玻璃基板上的薄膜倒装结构器件(tffcog)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20160830/143563.htm2016/8/30 15:40:29

研究发现加入硼可解决led发光效率下降现象

密西根研究团队11月发表最新研究,发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (ingan) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大,解决发光效率随

  https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13

石墨烯上外延深紫外led研究中取得新进展

最近,中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作,开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底,并提出了等离子体预处理改性石墨烯,促进al

  https://www.alighting.cn/pingce/20190425/161705.htm2019/4/25 9:54:59

日本旭化成将投产可杀菌的紫外线led

日本媒体日刊工业新闻12日报导,全球知名综合性化学制造大厂旭化成(asahi kasei)将在2014年兴建可量产具有杀菌效果的紫外线led的测试性产线,年产能虽不明,惟预估旭化

  https://www.alighting.cn/pingce/20131114/121636.htm2013/11/14 10:04:44

日试制出全球最高输出功率的深紫外线led元件

东京农工大学应用化学系纐缬明伯教授及熊谷义直副教授的研究小组与德山(tokuyama)共同试制成功了全球最高输出功率的深紫外线led。顺电流为150ma时,输出功率为20mw,外

  https://www.alighting.cn/pingce/20130117/121983.htm2013/1/17 18:22:19

松下开发出可与植物同等效率吸收二氧化碳生成有机物的光合作用系统

物作为原料,生成燃料和化学原料等有用的有机物。该系统的开发成功可说是朝着实现循环型能源社会前进了一大

  https://www.alighting.cn/pingce/20120803/122467.htm2012/8/3 11:30:54

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