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为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
者亦可用磊晶的方法长在半导体芯片的基
https://www.alighting.cn/resource/20060522/128933.htm2006/5/22 0:00:00
普通照明用发光二极管性能要求(qbt 4057-2010)：本标准规定了普通照明用的发光二极管(简称led)的分类、技术要求、试验方法、检定规则和标志、包装、运输、贮存。本标准
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/2/16351_96.htm2011/3/2 16:03:51
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高gan基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
《发光二极管(led)产品基础知识简介》，从发光二极管(led)简介、led主要制程及物料、公司主要产品结构介绍、led主要光电参数简述、led的优点这五个方面进行叙述，欢迎下
https://www.alighting.cn/resource/2010/12/8/103557_09.htm2010/12/8 10:35:57
制作了一个基于碳纳米管场发射的发光二极管 ,实验结果表明 ,这种发光二极管驱动场强低 ,亮度高 ,能够满足常用显示器和发光管的亮度要求 ,同时也用边界元法讨论了碳纳米管之间的场屏
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126079.htm2013/2/1 9:56:01
台湾虽已成世界led生产的重镇，但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者，mocvd生长的led磊晶(如氮化镓
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
由于有机发光二极管(oled)具有结构简易、质地轻巧、照明柔和、发光面大、功耗低、成本低等优良特性,oled有望成为一种新型的固态照明光源。然而,oled是一种电流器件,它的发
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127314.htm2011/8/15 11:52:00
深紫外线发光二极管比目前的同类设备最高输出功率高出7倍，其杀菌效果好、可高速分解二噁英等有害物质，已达到实用化水平。研究成果已于2月24日申请专利，论文预定发表在3月25日出
https://www.alighting.cn/resource/20100303/128767.htm2010/3/3 0:00:00
本规范规定了军用半导体光电组件（以下简称产品）的一般要求和质量保证规定等。
https://www.alighting.cn/resource/20071225/V13378.htm2007/12/25 11:06:43
