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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
2007年10月5日，aixtron ag和crystalq bv已呈献一6英寸（150mm）c面蓝宝石上GaN晶片的最初测试结果。目前的晶片测试报告显示出6英寸晶片卓越的颜色及
https://www.alighting.cn/resource/20071011/128540.htm2007/10/11 0:00:00
科锐宣布与荷兰nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议，nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合，包括了超过300项已授权美
https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13
在si衬底上生长了GaN基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板GaN基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
aixtron正在通过推出垂直hvpe工具加速自支撑GaN的商业化，该工具以悬挂的种晶架为特征，并能产直径为2英寸的梨形人造晶体。
https://www.alighting.cn/resource/20071016/128543.htm2007/10/16 0:00:00
led器件的封装已经有四十年的历史,近几年,随着led产业的迅速发展,led的应用领域不断扩大,对led器件的封装形式及性能提出了更高、更特别的要求。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127967.htm2010/7/12 17:26:15
2007年4月24日，日立电线株式会社（hitachi cable）确认成功开发产制出直径3英寸的GaN衬底，对于led产业将有正面助益。
https://www.alighting.cn/news/20070426/106320.htm2007/4/26 0:00:00
根据richard stevenson的报道，目前只有少数公司生产GaN衬底，价格昂贵，很难批量生产。
https://www.alighting.cn/resource/20040714/128409.htm2004/7/14 0:00:00
2007年3月19日，澳大利亚bluglass公司声称观察到玻璃衬底GaN led的短暂发光。
https://www.alighting.cn/resource/20070320/128486.htm2007/3/20 0:00:00
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
