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半导体持续火热 晶圆双雄产能满载

全球半导体景气持续火热,晶圆代工双雄产能满载。联电昨天公布6月营收创新高、达124.11亿元,表现优于预期。今天龙头台积电(2330)也将公布业绩,市场普遍乐观以对,外资巴克莱

  https://www.alighting.cn/news/20140711/111288.htm2014/7/11 9:47:47

mocvd生长GaNGaN:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaNGaN:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

led晶圆激光刻划技术

激光刻划led刻划线条较传统的机械刻划窄得多,所以使得材料利用率显著提高,因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺,刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小,这就使得晶圆颗粒之

  https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06

英飞凌300mm口径硅晶圆的功率半导体元件初期生产成功

目前功率元件中使用的硅晶圆口径最大为200mm。英飞凌市场营销及分销高级副总裁anton mueller自豪地表示,“我们是业界第一家”证实了采用300mm晶圆可以制造出与20

  https://www.alighting.cn/news/20111026/114298.htm2011/10/26 10:37:46

rubicon:马来西亚厂将开始量产6寸、8寸led蓝宝石晶圆

近日,led蓝宝石基板供货商rubicon宣布,其位于马来西亚槟城(penang)的厂房将开始量产6寸、8寸抛光蓝宝石晶圆

  https://www.alighting.cn/news/20110627/115475.htm2011/6/27 9:16:49

台积电全速进军18英寸晶圆技术领域

在日前于美国加州举行的2011年台积电技术研讨会(technologysymposium)上,该公司透露了更多有关18英寸晶圆制造计划的细节。根据业界消息,台积电正全速进军18英

  https://www.alighting.cn/news/20110412/115496.htm2011/4/12 11:14:18

n极性GaN薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

evg推出三炉evg520l3晶圆键合系统

evg是一家奥地利的晶圆键合和光刻设备制造商,最近evg500系列推出了新的晶圆键合系统。这套evg520l3系统内部包括了三个腔体,它结合了该系列设备在温度控制、活塞力一致和模

  https://www.alighting.cn/pingce/20101025/123226.htm2010/10/25 13:40:22

东芝照明推出采用GaN功率元件的led灯泡

东芝照明技术公司开发出了在电源电路中应用GaN功率元件的卤素led灯泡。新产品将在2015年3月6日推出。与原来采用硅功率元件时相比,采用GaN功率元件后,能够以相当于前者约10

  https://www.alighting.cn/news/20150304/83130.htm2015/3/4 13:41:39

2012年全球led晶圆产能将增加27%

根据研调机构semi的报告指出,2012年的全球led晶圆制造产能将比2011年成长27%,预计达200万片,其中,估计台湾的占比约25%,稳居第一。

  https://www.alighting.cn/news/20120208/89602.htm2012/2/8 10:41:21

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