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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明，激光诱导掺杂zn后，未掺杂显n型的GaN材料转变为p型，接近样品表面处空穴浓度最大达3×1018cm-3。利用二次离子质谱方法对zn含量进行测
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓GaN，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球范围来看，蓝宝石衬底的led市场份
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56
近日，晶能光电（江西）有限公司「硅衬底发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工，2008年4月30日上午举行了竣工投产典礼。
https://www.alighting.cn/news/20080509/106455.htm2008/5/9 0:00:00
东芝照明技术公司开发出了在电源电路中应用GaN功率元件的卤素led灯泡。新产品将在2015年3月6日推出。与原来采用硅功率元件时相比，采用GaN功率元件后，能够以相当于前者约10
https://www.alighting.cn/news/20150304/83130.htm2015/3/4 13:41:39
r device)关键材料最新研发成果，依功率元件的应用功率，分别展出矽(si)、氮化镓(GaN)及碳化矽(sic)产
https://www.alighting.cn/news/20160406/138825.htm2016/4/6 9:55:18
2007年6月7日，澳大利亚bluglass公司称其在直径6英寸镀膜玻璃晶片上沉积的GaN发出蓝光，这在世界上是第一次。大尺寸玻璃晶片上高质量led材料的沉积技术的进步可能最终带
https://www.alighting.cn/resource/20070611/128507.htm2007/6/11 0:00:00
