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三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率，有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00
《led芯片制作》分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28
GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方
https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓GaN，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球范围来看，蓝宝石衬底的led市场份
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56
对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的GaN基inGaN/GaN多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进
https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22
宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
