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阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00
瑞士半导体光源开发商exalos公司已经成功测试氮化镓(GaN)超辐射发光二极管(sled)的寿命，在特定测试条件下，sled寿命预计能达到5000小时以上。exalos公司表
https://www.alighting.cn/news/20160218/137029.htm2016/2/18 10:09:47
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
中国国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)日前对外表示，中国的led市场将继续扩大，到2010年预计市值达到320亿元。而GaN类led的供货量到2010年可望超越日本，达
https://www.alighting.cn/news/20071204/106417.htm2007/12/4 0:00:00
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
ucsb 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。
https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00
与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。该led元件与以前使用蓝宝石基板的le
https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25
单中包括aixtron的王牌产品-用于批量生产GaN led的crius ccs反应室和aix 2800g4 ht反应室系统，待明年这些设备安装完毕后，晶元的led产能将大大提
https://www.alighting.cn/news/20071024/120418.htm2007/10/24 0:00:00
近日，日本大厂同和电子（dowa electronics）宣佈，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外led芯片。比目前市售的紫外led发光波长短，实现了该波长范围全球最
https://www.alighting.cn/news/20080521/105650.htm2008/5/21 0:00:00
