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采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
出。该led由在β型-A2o3基板上制作的gan类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-A2o3基板上制作的gan类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
3d-led03675.90132.00219.808无锡实益达电子有限公司4寸/11w/ sdla2-A506寸/13w/ sdla1-b5067.8079.909南京汉德森科
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/30/287689.html2012/8/30 10:08:51
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
回顾了(0001)面蓝宝石衬底在led的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石衬底的超光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127214.htm2011/9/1 14:20:00
