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日前，vishay intertechnology, inc.(威世)宣布推出基于蓝宝石(sapphire)的新系列高强度蓝光smd LED，这些器件以低于标准InGaN蓝光le
https://www.alighting.cn/news/20070622/117695.htm2007/6/22 0:00:00
日前，美国智能眼镜与ar技术供应商vuzix宣布，公司正与英国Plessey半导体公司合作。
https://www.alighting.cn/news/20180608/157147.htm2018/6/8 10:04:24
附件为《创新性光源-InGaN基LED芯片技术研究与展望》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150615/130157.htm2015/6/15 16:53:41
报道显示，三星打算把原来的LED生产线“line 3”、“sr line”整并为一条，转移到位于京畿道器兴的“line 5”。line 5原本负责生产三星的系统半导体，但该公司决
https://www.alighting.cn/news/20150317/97057.htm2015/3/17 9:14:55
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的LED在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白、蓝、绿色和紫外光LED活跃层的必要物质。
https://www.alighting.cn/news/20090227/103771.htm2009/2/27 0:00:00
讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局，新世纪LED网记者独家专访了晶能光电有限公司硅衬底LED研发副总裁孙钱博
https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14
本文档为台湾新世纪InGaN LED chips (14×14) LED芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127375.htm2011/7/28 18:11:58
显示领域技术迭代过程中,MicroLED被认为是下一代显示技术的有力竞争者。MicroLED是LED微缩化和矩阵化技术,即将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列化,与oLED一
https://www.alighting.cn/news/20190226/160486.htm2019/2/26 10:04:37
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基LED 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基LED, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
日本住友金属矿业公司(smm)近来继续携手日本东北大学新材料科学研究院，将研发一种红光荧光粉，该荧光粉含硅，是一种氧化物(silicon-containin
https://www.alighting.cn/news/20120601/113444.htm2012/6/1 11:18:09
