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日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide：碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24
科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这
https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09
近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道，该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水
https://www.alighting.cn/news/20150708/130791.htm2015/7/8 10:04:07
近日，科锐(nasdaq: cree)宣布与英飞凌(fse: ifx / otcqx: ifnny)签署长期协议，为英飞凌生产和供应wolfspeed SiC碳化硅晶圆片。该协
https://www.alighting.cn/news/20180228/155330.htm2018/2/28 10:12:02
c碳化硅独家合作伙伴。fast的目标旨在推进共同合作，比以往更为快速地实施技术创新，并且更有效率地、更有效果地实现全球汽车项
https://www.alighting.cn/news/20190515/161911.htm2019/5/15 9:51:03
如今，SiC、蓝宝石、硅这三种不同的衬底技术路线，哪种在成本和性能上更具优势？如果越来越多的公司开始量产硅衬底，是否会对SiC与蓝宝石这两种技术路线形成冲击?不同的技术路线，国
https://www.alighting.cn/news/20120516/89190.htm2012/5/16 9:49:09
罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31
科锐（cree, inc.，美国纳斯达克上市代码：cree）与意法半导体（stmicroelectronics，美国纽约证券交易所上市代码：stm）宣布扩大并延伸现有多年长期碳化
https://www.alighting.cn/news/20191120/165184.htm2019/11/20 9:26:34
2015年11月16日-21日，rohm亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(elexcon 2015)”。在本次展会上展出了rohm所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化
https://www.alighting.cn/news/20151124/134436.htm2015/11/24 18:52:50
美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
