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底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（SiC）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤ algainn碳化硅（SiC）背面出光法。美国cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造algain
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤algainn碳化硅（SiC）背面出光法。美国cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造algainn超高亮度led的厂家，几年
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
产的高科技企业。公司硅衬底led芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基led器件，结合了具有自主知识产权的高效gan外延技术和芯片技术，是目前全球唯一可以量产硅衬
http://blog.alighting.cn/207028/archive/2015/2/6/365492.html2015/2/6 10:18:24
司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00
硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
s)，genelite,欧司朗(osram)，gelcore,首尔半导体等，普瑞，韩国安萤(epivalley)等。1、cree 着名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
变，其中一个值得注意的例子就是cree，其将led晶片放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led，其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除，而led结构已接在另
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11
