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in组分对ingangan蓝光led的发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

in组分对ingan/gan蓝光led发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14

eu3+荧光粉的制备和发光性能

结果表明,采用高温固相法在650~700℃能合成纯度较高、结晶度好的ca2li2biv3o12∶eu3+荧光粉,合成样品激发带覆盖200~400nm,发射光谱的线状发射可归属

  https://www.alighting.cn/2014/7/16 10:49:56

led用硅酸盐红色荧光粉的发展现状

展现状。硅酸盐基质红色荧光粉因其化学稳定性和热稳定性好、激发范围宽、发射强等优点在led用红色荧光粉中占有重要的地

  https://www.alighting.cn/2013/3/18 11:09:07

2012年 led背光照明细分市场投资策略报告

led背光照明仍是led增长的主要驱动力,2012年将是增长“年”。2012年led用于背光照明依旧是led产值的最大贡献应用领域,预计占led产值总比例将达到最大,约53.5

  https://www.alighting.cn/resource/20120712/126522.htm2012/7/12 11:58:18

100lm/w照明用led大功率芯片的产业化研究

围内,半宽接近20nm,led功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01ma下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350ma下发光效率达104 lm/w,并能够满足3w的应用市

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16

生长温度对ingan/gan多量子阱led光学特性的影响

性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08

展示空间灯光设计

以波长做参考,辐射波在它们所含的总的能量上,也是各不相同的,辐射波的力量与其振幅有关。一个波的振幅是它的高或深,以其平均点来度量,象海里的波升到最高,并有最深谷,深的波比浅波具

  https://www.alighting.cn/resource/2013/5/2/172017_31.htm2013/5/2 17:20:17

低温cvd法在玻璃衬底上制备zno纳米线阵列

征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450~500℃,氩气流量为35sccm时,zno纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;xrd谱图中只观测到zno(002)衍射。表明制备的纳

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

人工欧泊填充inp后的形貌和反射谱特性

示,inp晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的inp的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较

  https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41

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