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东芝在2012年12月中旬宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓led的工艺，通过采用新型硅上氮化镓(gan-on-si)技术来生产led芯片，并且已准备开始量产。公
https://www.alighting.cn/news/20130105/112463.htm2013/1/5 10:28:37
中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n
https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
aixtron爱思强股份有限公司宣布，中国江苏trifortune电子科技有限公司已订购一套aixg5ht系统，用以研发基于氮化镓的高亮度led。
https://www.alighting.cn/news/20140409/114790.htm2014/4/9 9:48:34
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
附件为论坛嘉宾tjacomiddel的演讲内容《物联网下的照明行业》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20170621/151330.htm2017/6/21 16:52:19
美国罗彻斯特理工学院(rochester institute of technology)的研究者新设计出一种垂直集成氮化镓led结构，有助于提高micro led显示器的效率。
https://www.alighting.cn/news/20190314/160830.htm2019/3/14 9:32:59
近日，记者来到西宁月光太阳能科技有限公司。工作人员告诉记者，西宁机场高速的路灯就是他们的产品，在路灯里装了太阳能物联网控制器后，工作人员在电脑前就能对路灯实时监控、统计分析。物联
https://www.alighting.cn/news/20150909/132540.htm2015/9/9 11:03:12
南通同方已采用veeco的设备成功生产基于蓝宝石衬底的氮化镓led，硅基氮化镓led将成为其未来几年投资重点，并将继续采用veeco设备。
https://www.alighting.cn/news/20120919/113212.htm2012/9/19 15:43:29
