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、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与热沉芯片（硅、铜、氮化镓（gan）、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
晶和公司的硅衬底氮化镓基led材料与器件技术诞生，改写了国际半导体照明的历史。我国国家863专家组评价道：“它打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国cree公司垄断碳化硅衬底半导
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315436.html2013/4/24 16:01:47
1907年henryjosephround第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用；更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研究被摒弃了。二
http://blog.alighting.cn/mjlighting/archive/2010/5/3/42691.html2010/5/3 15:36:00
1、 1907 年henry joseph round 第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用；更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研
http://blog.alighting.cn/reydul_sh/archive/2010/8/7/73943.html2010/8/7 19:20:00
一、led发展历史介绍 1907 年henry joseph round 第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用；更难处在于碳化硅与电致发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143097.html2011/3/16 21:23:00
价降价空间很小，硅衬底资料技能现已老练，大尺度硅衬底led将推动led外延芯片的降价风暴。将来，蓝宝石，硅和碳化硅等几种衬底在led商场构成共存的竞赛格式，在细分商场范畴上分的商
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/15/323550.html2013/8/15 14:17:28
后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有gaas、aln、zno等材料。mocvd是利用气相反应物（前驱物）及ⅲ族的有机金属和ⅴ族的n
http://blog.alighting.cn/mule23/archive/2008/12/2/9371.html2008/12/2 14:14:00
于两大元素：一是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动等。目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/20/317581.html2013/5/20 14:03:33
从蓝宝石或碳化硅衬底向硅衬底的转移，这一新的方式正受到业内许多主要制造商的支持，虽然成功程度不一。 2012年英国国际led展览会(euroled)发言人：led制造商普瑞光
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
