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inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值，inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右，而不是先前普遍接受的1.9ev，所以通过调节合金组分可以获得从0
https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13
algainp四元系发光二极管一般使用gaas衬底，由于gaas衬底的禁带宽度比algainp窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸
https://www.alighting.cn/resource/20090903/128995.htm2009/9/3 0:00:00
随着全球“禁白”效应带来的led照明市场潜在需求大幅增长，加之产品价格下跌，led照明迈向普及化的进程正在以前所未有的速度向前迈进。有关数据显示，2014年日本将继续保持全球le
https://www.alighting.cn/news/201449/n350561439.htm2014/4/9 17:10:01
有鉴于各国白炽灯禁用与禁产的规范将自2011年陆续实施，东芝(toshiba)、飞利浦(philips)等发光二极体(led)灯具大厂纷纷展开球泡灯部署。在高电压(hv)led技
https://www.alighting.cn/news/2011512/n882731954.htm2011/5/12 18:30:59
2013年对于led照明产业来说，可谓是极具征程意义的一年。在历经了投资热、价格战、倒闭潮、整合潮之后，led照明市场正逐步迈入理性发展阶段。当前，在全球“禁白”运动此起彼伏和市
https://www.alighting.cn/news/201413/n321759361.htm2014/1/3 8:52:12
2014信步而来，“马上”体也迅速走红。回望2013，照明行业栉风沐雨、满载而归。这一年，节能灯推广未止，政府大手笔首次补贴led照明，企业欣喜若狂，百姓从中受惠;这一年，各国“
https://www.alighting.cn/news/201418/n300059455.htm2014/1/8 11:22:31
inn是性能优良的半导体材料。最近研究表明：inn的禁带宽度也许是0.7ev左右，而不是先前普遍接受的1.9ev，所以通过调节合金组分可以获得从0.6ev(inn)到6.2e
https://www.alighting.cn/news/20091126/V21879.htm2009/11/26 16:03:13
学宽禁带半导体研究中心张国义教授做了题为《竖直结构芯片制备技术动态》的报
https://www.alighting.cn/news/20080125/102992.htm2008/1/25 0:00:00
国家863计划新材料领域光电子主题专家组一行六人，于3月2日来北京大学宽禁带半导体研究中心，对该中心承担的《氮化镓基激光器(方案二)》(课题组长：胡晓东)和《氮化镓基紫光及紫
https://www.alighting.cn/news/20050307/103895.htm2005/3/7 0:00:00
2011年6月，一块来自深圳市艾比森光电股份有限公司的led全彩显示屏，正式登陆伊斯兰教圣地——麦加，安装于麦加禁寺1号门(阿卜杜●阿齐兹国王1号门)正对面，位于世界最高钟塔(麦
https://www.alighting.cn/news/20110617/115006.htm2011/6/17 9:46:28
