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题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外延生长的gan薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
免ｍｏ ｇａｓ金属有机蒸发源与ｎｈ３在预热区就先进行反应３进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说ｇａｎ的成长须要很高的温度来打断ｎｈ３之ｎ－ｈ的键解，另外一方面由动力学仿真也得
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
低esr的聚丙烯薄膜电容。图二：输入电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230321.html2011/7/20 0:07:00
砷及其化合物•pb：铅及其化合物•cd：镉及其化合物•tbt：三丁基锡•tpt：三苯基锡•dehp：邻苯二甲酸二己酯•pentachlorphenol：五氯苯酚•mus
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230103.html2011/7/18 23:47:00
全塑荧光灯玻璃纤维增强不饱和聚脂模压成型外壳，具有强度高耐冲击,耐腐蚀等优良性能。 sfay6010系列防水防尘防腐全塑荧光灯聚碳酸脂透明灯罩。 sfay6010系列防水防尘防腐全
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/229994.html2011/7/18 14:11:00
日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说，他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称，该技术能使平
https://www.alighting.cn/news/20110718/100410.htm2011/7/18 11:05:43
同,也可以将其分为无源矩阵显示器中的双扫描无源阵列显示器(dstn-lcd)和有源矩阵显示器中的薄膜晶体管有源阵列显示器(tft-lcd)。所谓dstn双扫描扭曲阵列,是液晶的一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229956.html2011/7/17 23:34:00
示、高效率太阳能电池的优良半导体材料。一、制造inn薄膜目前存在的难题制备高质量的inn体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发inn材料应用的前提。但是,制造inn薄膜有两大困
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
体中携带出蒸汽,与v族的氢化物(如nh3,ph3,ash3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
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