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激光剥离技术实现垂直结构ganled

为改善gan 发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan led 从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

刻蚀深度对si衬底gan蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oanled外延材料,将其转移到新的硅板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

ganled材料特性研究及芯片结构设计

本文在介绍了氮化镓材料的本结构特征及物理化学特性之后,从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48

钱可元——2014年阿拉丁神灯奖提名委员个人简介

副秘书长;  联建光电有限公司独立董事。  获奖情况:  在led应用方面已经进行的研究包括:  于gan发光芯片的光提取效率问题;  非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系

  http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49

plessey推新一代硅氮化镓led光效可达64lm/w

英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅氮化镓led。型号为plw114050,目前正在出样,这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被

  https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29

led行业热点技术分析

到较高的良率。优势:通过mocvd技术在兰宝石衬底上生长ganled结构层,由p/n结髮光区发出的光透过上面的p型区射出。由于p型gan传导性能不佳,为获得良好的电流扩展,需要通

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/12/1/345357.html2013/12/1 18:56:56

文俊:勿让功利性“秀”灯光

就算城市照明专项规划设计做的科学完善,最终要么没有执行,要么就是功利性因素在里面起了绝大作用而导致最终实现不了规划设计的要求与目的,这一点和我们国内的房地产调控是类似的,越调控房价

  https://www.alighting.cn/news/20131120/n713058412.htm2013/11/20 11:21:15

科瑞在sic片市场占有较高份额

制造sic功率元件不可缺少的sic片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品,6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。

  https://www.alighting.cn/news/20131119/111789.htm2013/11/19 13:43:50

欧司朗led点亮西斯廷教堂米开朗罗壁画

著名的罗马大教堂的标志性作品将由led照明照亮,不仅提供较高的照度水平、减少60%能耗,还能同时保留历史的颜色。

  https://www.alighting.cn/news/20131115/n177658268.htm2013/11/15 9:34:55

博兴县店子镇40来盏太阳能路灯过半数瘫痪

三十多盏太阳能路灯,有四五根没有了灯箱或灯泡,十余根只剩杆,晚上能正常照明的不过10来盏,在店子镇政府西侧的曹纯路上,路两边的太阳能路灯大部分瘫痪。

  https://www.alighting.cn/news/2013117/n919458053.htm2013/11/7 9:32:31

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