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白光led的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

「21世纪光源计划小组」,并委托日亚化学与丰田合成进行技术开发,该计划小组将近紫外led的外部量子效率(以下简称为取光效率)目标定为40%,当时蓝光led的取光效率为15%,紫

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00

led封装结构及其技术

构及几何形状、封装内部结构与包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00

led的多种形式封装结构及技术

何形状、封装内部结构与包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00

发光二极管封装结构及技术

、封装内部结构与包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00

提高yag:ce荧光粉稳定性的方法探讨

高光效、长寿命、低价格是白光led进入普通照明必过的叁关,提高芯片的内外量子效率、高技巧封装结构的设计及工艺、提高yag:ce3+的光转换效率是当前直面的叁题,认真研究粉体的相结

  https://www.alighting.cn/resource/20110211/128059.htm2011/2/11 10:26:04

高亮度led封装散热设计全攻略

无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。      图中为ingan与alingap两种led用的半导体材料,在各尖峰波长(光色)下的外部量子化效率图,虽然最理想下可逼近40%,但若再

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/1/29/129427.html2011/1/29 10:03:00

探寻led显示屏光污染的解决方案

目前国际上一般把led显示屏光污染分成3类,即白亮污染、人工白昼和彩光污染。而目前我国只对白亮污染中的玻璃幕墙有相关规定,对人工白昼和彩光污染目前还没有相关规定。但是考虑到彩光

  https://www.alighting.cn/resource/20110123/128076.htm2011/1/23 15:14:27

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

联电阻增大,还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此,针对上述问题,深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电极制备技

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

硅衬底上gan基led的研制进展

低,导致串联电阻增大。使用si衬底的另一不利之处是,硅吸收可见光会降低led的外量子效率。尽管如此自1998年以来在硅上氮化镓led方面已经取得了不少令人兴奋的结果。   二、缓冲

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

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