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2012 第二十八届全国照明电器材料、led 照明配件大会暨气体放电灯低汞(微汞)技术研讨会于9月17日在合肥银瑞林国际大酒店召开，本次会议由中国照明电器协会主办。数百名照明材
https://www.alighting.cn/news/2012920/n393543830.htm2012/9/20 11:42:50
日本保土谷化学工业开发出oled器件用高电流效率的正孔注入材料“nht18”。适用于德国novaled ag开发的“pin oled”结构oled器件。目前双方已就保土谷化学
https://www.alighting.cn/news/20081118/106337.htm2008/11/18 0:00:00
上世纪末，半导体照明开始出现并快速发展，其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备，而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。
https://www.alighting.cn/news/20140605/86888.htm2014/6/5 9:13:57
东旭明朔陈威：石墨烯材料的散热应用及路灯照明的未来
https://www.alighting.cn/resource/20180703/157447.htm2018/7/3 15:18:26
近日，句容江苏同人电子年产2100万片led蓝宝石衬底材料项目取得省发改委正式批复。项目总投资29853万美元，建筑物面积11.8万平方米，建设周期为2年。
https://www.alighting.cn/news/20120828/99316.htm2012/8/28 15:16:45
6月9日消息，东京大学及日本科学技术振兴机构（jst）等的研究小组开发出了作为非晶质物质的电荷迁移率达到“最高水平”（该研究小组）的两极性有机半导体材料。
https://www.alighting.cn/news/20090610/105517.htm2009/6/10 0:00:00
日本材料厂zeon在日本举行的finetech展会上，其100％子公司optes展示其新款导光版，能够减少混光的区域，进而使平面显示器产品更薄。
https://www.alighting.cn/news/20080417/106851.htm2008/4/17 0:00:00
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于GaN基led的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
低了外延材料中的刃位错和螺位错，改善了si与GaN两者之间的热失配和晶格失配，解决了GaN单晶膜的龟裂问题，获得了厚度大于4μm的无裂纹GaN外延膜。 (2)通过引入ai
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
