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后,再加上增加晶片面积就绝对可以一口气提?N亮度,因为当光从晶片内部向外散射时,晶片中这些改善的部分无法进行反射,所以在取光上会受到一点限制,根据计算,最佳发挥光效率的led晶片尺
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荐使用需要浮动栅极驱动的N通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显示了备选的降压稳压器(buck#2)。在
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础上改进的pfm/pwm控制技术,是pfm与pwm有机结合的控制方式(不是pfm与pwm的切换),是以输入电压确定N开关管开启时间,输出电压与输入电压差确定同步管开启时间,而不像pw
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c1b: 100μf/6.3v l1: 1.0μh, isat 1.2a d1: mbrs140 or 1N5817 rs: 1.3 c2a: 470Nf c2b
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时,最好使用电阻来减少连接数量并降低复杂度。电荷泵的主要缺点在于其效率。开关和电容器的数量决定了电荷泵的乘数N。此比例通常为1.5 或2。下列简单的方程给出了理想效率的算法： 实
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地连接。 工作原理简介 max16800的内部结构框图如图2所示。它由差动电流检测放大器(外部接电流检测电阻rseNse)、误差放大器、mosfet驱动器、调整管(N沟道功
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d的工作电流：一般led的额定工作电流20毫安,有的工厂一开始就用到尽,设计20毫安,实际上此电流下工作发热很严重,经多次对比试验,设计成17毫安是比较理想的。N路并联的总电流=1
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载和输出滤波电容,以补偿电容单独提供负载电流时消耗的能量。 图中t1为高频隔离变压器,vq1为cmos功率三极管17N80c3,vd7和vd8是瞬变抑制二极管,vd6为快恢复二极
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的，但有别于小尺寸晶粒，高功率led常常需要操作在大电流之下，一点点不平衡的p、N电极设计，都会导致严重的电流丛聚效应（curreNt crowdiNg），其结果除了使得led晶
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y, automobiles or perhaps buildiNgs." the girl's precediNg love story seemed to be with a
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